氧化层陷阱电荷检测

高频CV测试：利用高频电容-电压（CV）曲线，通过分析曲线的偏移或斜率变化，检测氧化层中的陷阱电荷。

BTI测试：通过偏置温度不稳定性（Bias Temperature Instability, BTI）方法，观察器件在高温和电偏置条件下电特性随时间的变化，推测陷阱电荷的存在。

IV特性曲线分析：测量器件的电流-电压（IV）特性，分析漏电流增加或阈值电压漂移，推断氧化层缺陷及陷阱电荷。

瞬态电流测量：利用瞬态电流技术，通过施加脉冲信号并观察瞬态响应，判断和量化氧化层陷阱电荷的变化。

Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)：通过测量不同温度条件下陷阱的捕获和释放瞬态信号特性，鉴别和计量深能级陷阱电荷。

Fowler-Nordheim隧穿测试：利用高场隧穿电流（Fowler-Nordheim隧穿）对氧化层陷阱电荷进行评估，通过隧穿电流的变化估测陷阱密度。

C-V测量仪：用于测量半导体材料中电容-电压（C-V）特性，从而分析氧化层中的陷阱电荷密度，通过对比理想特性和实际特性判断陷阱电荷的存在。

DLTS（深能级瞬态谱仪）：利用瞬态电导或电容信号分析材料中的深能级缺陷，有助于检测氧化层陷阱电荷的种类和分布。

霍尔效应测量仪：通过测量材料的霍尔效应，评估电荷载流子浓度变化，从侧面反映氧化层中可能的电荷陷阱影响。

Fowler-Nordheim隧穿测量设备：通过测量电子通过氧化层的隧穿电流，帮助了解陷阱电荷对电子传输的影响，间接评估氧化层陷阱电荷密度。