点击:丨发布时间:2024-09-20 08:14:55丨关键词:硬击穿检测
北京中科光析科学技术研究所实验室进行的硬击穿检测,可出具严谨、合法、合规的第三方检测报告。检测范围包括:金属箔片,半导体晶圆,聚合物薄膜,陶瓷片,电解质膜,氧化;检测项目包括不限于击穿电压、漏电流、绝缘电阻测量、电介质损耗、局部放电、耐压强等。
高压测试:施加比正常工作电压高的电压,观察设备是否出现不可逆转的击穿损坏。
绝缘电阻测量:对被测材料施加直流电压,通过测量电流计算绝缘电阻,较低的绝缘电阻可能表明硬击穿风险。
漏电流测试:对设备施加规定电压,监测漏电流变化,较大的漏电流可能是硬击穿的预兆。
耐压测试:通过施加逐步增加的电压,评估设备能承受的最大电压,直到发生击穿表现或达到安全极限。
静电放电测试:模拟静电放电事件,评估设备在这样的瞬间高电压冲击下的耐受能力。
热成像检测:使用热成像设备监控设备运行时的温度分布, 异常升高的温度可能是硬击穿前兆。
击穿电压测试仪:用于测量电介质材料的击穿电压,确保材料在高压条件下的可靠性和安全性。
绝缘电阻测试仪:用来检测材料的绝缘性能,评估材料在电击穿情况下的电阻特性。
介电强度测试仪:评估绝缘材料的耐电强度,帮助识别材料在电场作用下的最大承受能力。
高压发生器:提供高电压以测试和测量电介质的击穿电压和电击穿耐受能力。
漏电流测试仪:监测高压测试过程中通过材料的漏电流,确保测试准确与材料安全性。
热成像仪:用于检测电击穿测试过程中由局部过热导致的潜在材料缺陷。
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