点击:丨发布时间:2024-09-20 18:39:39丨关键词:逸出电子检测
北京中科光析科学技术研究所实验室进行的逸出电子检测,可出具严谨、合法、合规的第三方检测报告。检测范围包括:金属表面、半导体薄膜、纳米材料、催化剂颗粒、金属氧化物;检测项目包括不限于表面电势,功函数测量,电子发射显微镜分析,工作函数谱分析,光等。
光电子能谱法:利用紫外或X射线照射样品,使电子逸出,根据逸出电子的动能分析材料表面化学组成及电子状态。
二次电子发射:通过高能粒子轰击样品表面,使二次电子逸出,用于分析材料表面成分和结构。
俄歇电子能谱法:通过X射线或电子束激发样品内部原子,分析逸出的俄歇电子能量,以获得元素和化学信息。
场发射扫描电子显微镜:利用强电场诱导表面电子逸出,以实现高分辨率的表面形貌分析。
隧道电子显微镜:通过量子隧穿效应测量电子逸出,用于研究材料表面的原子级结构。
电子能谱仪:用于分析从材料表面逸出的电子的能量分布,以确定材料的成分和化学状态。
功函数测量仪:测量材料表面的功函数,通过观测逸出电子的动能来评估表面特性。
场发射显微镜:观察并测量强电场作用下材料表面逸出电子形成的图像,分析局部表面特性。
透射电子显微镜:虽然主要用于高分辨率成像,但可以用于观察样品内部和表面电子逸出相关现象。
背散射电子探测器:配置在扫描电子显微镜中,用于检测样品表面和近表面的成分和相对密度。
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