有效俘获截面检测

中子活化分析：通过让样品暴露在中子源下，中子与样品中的原子核发生反应，生成放射性同位素。随后，通过测量这些同位素的放射性来确定样品中的元素及其俘获截面。

同位素稀释法：在样品中加入已知量的某种同位素，然后使用质谱或其他技术测量化学元素的丰度变化，通过同位素稀释规律计算俘获截面。

中子散射实验：利用中子散射仪器向样品发射中子，并测量散射中子的数量和能量分布。根据散射数据可以推算出样品中不同元素的俘获截面。

时间飞行法：使用脉冲中子束，让中子通过样品，在探测器上记录中子通达的时间和距离，根据这些数据计算中子的能量，从而确定样品元素的俘获截面。

中子衰减法：通过测量中子在样品中的衰减，结合理论模型计算有效俘获截面。这需要精确测量中子的初始强度和经过样品后的强度变化。

反应率分析：在核反应堆或加速器内，通过记录和分析反应产物的生成率，结合实验条件和反应截面计算公式求得样品的有效俘获截面。

闪烁计数器是一种常用于有效俘获截面检测的仪器。它通过使用一种能够发光的材料，可以捕捉和测量中子与靶核相互作用产生的光子，从而确定中子的俘获截面。

质谱仪则用于分析样品中的同位素成分，通过测量不同同位素的相对丰度，间接计算出有效俘获截面。质谱仪的高精度和高灵敏度使其在这种测量中广泛应用。

中子源是生成中子的基本设备，通过控制中子通量和能量，可以配合其它仪器进行有效俘获截面的测量。中子源常与其他检测设备一起使用来提供所需的中子束。

飞行时间谱仪通过测量中子飞行的时间来确定中子的能量，从而利用不同能量中子的俘获截面变化来进行检测。这种方法可以提供高时间分辨率的信息，有助于提高测量的准确性。

硅探测器利用硅材料的半导体特性来检测中子俘获产生的次级粒子。通过测量这些次级粒子的能量和数量，硅探测器能够计算出中子的俘获截面。

高纯锗探测器因其高能量分辨率，被广泛用于伽马射线谱学研究。它可以精确测量中子俘获后产生的伽马射线谱，从而确定俘获截面。

模拟电子束技术模拟中子俘获过程中产生的电子流，通过测量这些电子流的特性，可以间接计算俘获截面，常用于高能物理实验中。

高效液闪分析仪采用液体闪烁体来捕获高能粒子，并测量产生的闪光频率和强度，从而完成对中子俘获过程的定量分析。