异质结结构检测

光学显微镜检查：使用高分辨率显微镜观察异质结的表面形貌和界面连接情况，可识别材料的表层缺陷和粗糙度等特征。

扫描电子显微镜（SEM）分析：通过SEM可以获得异质结表面的高分辨率图像，以分析材料的表面形态和粒子分布，同时可以进行成分分析。

透射电子显微镜（TEM）分析：TEM能够提供异质结横截面的高分辨率图像，适用于观察原子级别的结构信息，以及界面间的晶体取向和缺陷。

X射线衍射（XRD）：利用XRD可以分析异质结薄膜的结晶质量、晶格常数以及相的组成，通过衍射峰确定材料的相互排列和取向。

能量色散X射线光谱（EDX或EDS）：结合SEM或TEM使用，进行元素分布分析，以确定异质结中各层的元素组成及含量。

电子背散射衍射（EBSD）：用于分析晶体取向以及异质结结构中的晶粒取向，以帮助了解结构中材料的变形及再结晶特性。

光致发光光谱（PL）：测试异质结材料的发光性能，用于研究材料的带隙、缺陷能级和光学质量。

原子力显微镜（AFM）：对异质结表面的形貌进行纳米级分辨测量，评估表面粗糙度及形貌变化。

拉曼光谱：用于分析异质结材料的分子振动和晶格动态变化，以获取关于晶体结构、应力分布以及杂质的相关信息。

透射电子显微镜（TEM）：用于观察材料内部的微观结构，可提供晶格缺陷、界面特性及元素分布的详细信息。

扫描电子显微镜（SEM）：用于观察材料表面的形貌和粗糙度，检测异质结的表面特性。

X射线光电子能谱（XPS）：用于确定表面的化学组成，分析异质结界面的化学结合状态。

原子力显微镜（AFM）：用于测量表面粗糙度和形貌，评估异质结的表面均匀性。

二次离子质谱（SIMS）：用于分析深度剖面，提供异质结结构中元素深度分布的信息。

电容-电压（C-V）测试：用于测量半导体材料中载流子浓度和分布，评估异质结界面的电学特性。

光致发光谱（PL）：通过检测光学发射特性，分析异质结中的能带结构和缺陷状态。

光学显微镜：用于快速初步观察异质结样品的一般形貌和宏观缺陷。