异质结检测

透射电子显微镜（TEM）：利用透射电子显微镜的高分辨率，观察异质结界面的原子结构、晶体缺陷以及成分分布。

扫描电子显微镜（SEM）与能量色散X射线谱（EDX）：组合使用，通过SEM获得样品表面形貌，并用EDX分析元素分布，确定异质结的材料组成。

X射线衍射（XRD）：通过分析异质结的X射线衍射图谱，确定晶体结构和界面应力，评估材料的晶体质量。

二次离子质谱（SIMS）：通过分析样品的二次离子，检测异质结中元素的深度分布，实现高灵敏度的成分分析。

光致发光光谱（PL）：在非接触、非破坏性条件下，通过测量异质结的光致发光特性，评估界面特性和载流子复合行为。

电容-电压（C-V）特性测量：通过分析异质结的电容-电压特性，确定界面态密度及电学性质。

扫描电子显微镜 (SEM)：用于观察异质结的表面形貌，可以获取表面结构的高分辨率图像，帮助分析界面特性。

透射电子显微镜 (TEM)：通过透射电子束分析异质结的内部结构，提供原子级分辨率的信息，适用于研究界面精细结构。

能量色散X射线谱 (EDS)：与SEM或TEM结合使用，可以分析异质结中的元素组成和分布。

X射线衍射仪 (XRD)：用于分析异质结材料的晶体结构、相组成和应力状态，通过检测衍射图谱来获得相应信息。

光谱椭偏仪：用于测量薄膜厚度和光学常数，帮助分析异质结的光学特性。

原子力显微镜 (AFM)：用于测量异质结表面的形貌和粗糙度，提供表面形貌的三维信息。

光致发光谱仪 (PL)：用于研究异质结的光学特性和发光特性，分析光学跃迁和能级结构。

二次离子质谱 (SIMS)：用于分析异质结中元素的深度梯度分布，提供深度分辨率的化学成分信息。

电学测试仪器：例如霍尔效应仪、IV测试仪，用于测量异质结的电学性能，包括电导率、载流子浓度和迁移率等。