氧化去胶检测

光学显微镜检查：使用光学显微镜观察去胶后的表面，检查是否存在残留的光刻胶，通过成像对比去胶前后的表面特征。

电子显微镜检查：运用扫描电子显微镜（SEM）获取高分辨率图像，识别微观表面特征变化，从而确认光刻胶去除的完整性。

傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析：通过FTIR检测去胶后样品表面的化学成分，确定是否有机化合物残留，判断去胶效果。

接触角测量：测量样品表面的接触角，了解表面能的变化，判断去胶后的清洁程度和光刻胶的去除情况。

X射线光电子能谱（XPS）分析：利用XPS分析表层化学元素及其结合状态，检测样品表面是否完全去除光刻胶残余。

椭偏测量：使用椭偏仪测量薄膜表面的光学特性，评估膜厚度变化以判断去胶效果。

薄膜厚度测量仪：用于检测去胶后薄膜厚度的变化，确保去胶过程均匀且达到预期效果。

光学显微镜：用于观察去胶后的表面特征，检查是否存在残留或表面损伤。

扫描电子显微镜（SEM）：提供表面的高分辨率影像，分析去胶后表面状态及细微结构。

X射线光电子能谱仪（XPS）：分析表面化学成分，确认氧化层和去胶物质是否完全去除。

四探针电阻测试仪：测量去胶后样品的电阻变化，确保去胶不会影响电气性能。

椭偏仪：用于测量薄膜的光学性质和厚度，验证去胶后氧化层的完整性。