半导体工业检测

点击:丨发布时间:2024-10-12 02:29:48丨关键词:半导体工业检测

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北京中科光析科学技术研究所实验室进行的半导体工业检测,可出具严谨、合法、合规的第三方检测报告。检测范围包括:硅晶圆、光刻胶、刻蚀残留物、腐蚀液、去胶剂、化学气相沉积;检测项目包括不限于晶圆厚度测量,薄膜厚度测量,电阻率,缺陷,粒子计数,金相分析等。

检测范围

硅晶圆、光刻胶、刻蚀残留物、腐蚀液、去胶剂、化学气相沉积薄膜、离子注入掺杂物、导电浆料、抗蚀剂残留、清洗液、光掩膜、刻蚀气体残留、溅射薄膜、金属化合物、介电材料、热氧化膜、化学机械研磨液、表面缺陷、晶体结构。

检测项目

晶圆厚度测量,薄膜厚度测量,电阻率,缺陷,粒子计数,金相分析,光学显微镜检查,X射线荧光光谱分析,扫描电子显微镜,透射电子显微镜,表面粗糙度测量,刻蚀轮廓测量,电气性能,离子污染分析,热处理分析,化学成分分析,生命周期,热膨胀系数测量,热导率测量,电容-电压特性,漏电流,电迁移,键合强度测量,气体分析,湿度,热释光分析,谱分析,声发射,原子层沉积厚度测量。

检测方法

光学显微检测:利用光学显微镜对硅片和薄膜进行表面瑕疵检测和形貌分析,识别颗粒、划痕等缺陷。

扫描电子显微镜(SEM):通过电子束扫描样品表面,获取高分辨率图像,用于观察精细结构和分析纳米级缺陷。

原子力显微镜(AFM):利用探针扫描样品表面,提供三维形貌信息,用于测量表面粗糙度和厚度。

X射线衍射(XRD):通过分析衍射图谱,确定材料的晶体结构、取向及应力状态,以检测工艺中的结晶质量。

拉曼光谱:用于材料检测,通过分析拉曼散射光谱获得材料的化学组成和分子结构信息。

电容-电压(C-V)测试:用于检测半导体材料的电学性能,测试电容与电压的关系,以评估介电层质量。

光致发光(PL)测试:测量样品在光激发下的发光性质,用于分析半导体的能带、缺陷和杂质。

傅里叶变换红外光谱(FTIR):通过红外光吸收谱分析样品中的化学键和分子结构,用于材料成分分析和杂质检测。

能量色散X射线光谱(EDX):结合电子显微镜,分析材料的元素构成,提供化学成分的定性和定量信息。

漏电流测试:测量绝缘层的漏电流,用于检测电路中的电气缺陷和材料质量。

检测仪器

光学显微镜:用于检测半导体晶圆和芯片表面的微小缺陷和结构完整性。

扫描电子显微镜(SEM):提供高分辨率成像,帮助观察半导体材料的微观结构和缺陷分析。

能量色散X射线光谱仪(EDX或EDS):配合SEM使用,用于分析半导体材料的化学成分。

原子力显微镜(AFM):用于测量半导体样品的表面形貌、高度变化和纳米级粗糙度。

X射线衍射仪(XRD):用于分析半导体材料中的晶体结构和应力。

波长色散X射线荧光光谱仪(WDXRF):用于进行半导体材料的成分分析,特别是在含有多种元素的复杂样品中。

四探针电阻测试仪:用于测量半导体材料的电阻率和导电性。

自动光学检测(AOI)系统:用于快速检测半导体芯片和晶圆表面的缺陷和异物。

晶圆探针台:用于在晶圆制造的测试阶段进行电学测试,确保每一块芯片的功能正常。

傅里叶变换红外光谱仪(FTIR):用于分析半导体材料中的化学键和杂质。

质谱仪(MS):用于检测半导体材料中的离子或分子成分,特别是痕量元素分析。

国家标准

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