掺杂质补偿检测

霍尔效应测量：利用霍尔效应装置测量样品中的霍尔系数，进而推导出掺杂浓度及载流子类型。通过分析补偿效应对载流子浓度的影响，可以判断掺杂质补偿的程度。

光致发光光谱：通过测量样品的光致发光光谱来分析净掺杂浓度，观察由补偿引起的发光强度变化和能级偏移。

电容-电压特性（C-V测试）：通过施加不同的电压测量样品的电容，获得载流子浓度分布。观察补偿效应对电容特性的影响。

深能级瞬态谱（DLTS）：检测深能级缺陷的复合，分析补偿效应对凝结态能级的影响，从而判断掺杂补偿。

二次离子质谱（SIMS）：进行掺杂质剖面分析，通过直接测量掺杂元素浓度确定补偿效应对掺杂分布的影响。

1. 电导率测定仪

用于测量材料的电导率，通过此数据可以推测掺杂质的电子或空穴补偿效果。

2. 霍尔效应测量仪

通过测定霍尔系数来分析载流子浓度和类型，帮助评估掺杂质的补偿效应。

3. 光谱分析仪

例如X射线光电子能谱仪（XPS），用于检测材料表面的化学成分，确定掺杂元素的状态和分布。

4. 电容-电压特性测量仪

通过测量电容-电压曲线，获取掺杂浓度分布信息，从而分析补偿效果。

5. 深能级瞬态谱仪（DLTS）

用于检测半导体材料中的深能级缺陷，了解掺杂质引入的深能级及其影响。

6. 二次离子质谱仪（SIMS）

提供掺杂元素的深度分布信息，精确分析掺杂质在材料中的分布和浓度。