层错带检测

层错带检测可以通过透射电子显微镜（TEM）进行。TEM能够提供高分辨率的图像，帮助观测样品内部的层错特征。分析电子衍射图样，可以确定层错的位置和性质。

选区电子衍射（SAED）是使用TEM时的一个重要方法，通过选取特定区域进行电子衍射，能帮助分析层错的具体类型和形成机制。由此可以判断阶梯错位、孪生界面等结构缺陷。

扫描透射电子显微镜（STEM）能够提供更高分辨率的图像，通过对样品的扫描可以更清楚地看到层错的原子结构和分布情况。STEM还可以结合能量色散X射线光谱 (EDS) 分析，提供元素成分的信息。

高角环形暗场（HAADF）成像技术，通常结合在STEM中使用，能够提供更强的原子对比。这有助于突出层错的位置，使得观察微观结构上的变化更加容易。

X射线衍射（XRD）技术可以用来检测大体积样品中的层错密度和类型。通过分析衍射峰的宽度和位置偏移，可以推测样品中是否存在层错以及其密度。

原子力显微镜（AFM）结合相位成像，可以提供样品表面层错的拓扑信息，尤其适用于分析表面层错和小尺寸样品的表面缺陷。

透射电子显微镜（TEM）：使用高能电子束穿透样品，能够看到晶体内部的层错结构，非常适用于分析微观缺陷。

X射线衍射仪（XRD）：通过 X 射线与晶体相互作用产生衍射图谱，可用于检测和识别晶体中的层错以及其他结构缺陷。

扫描电子显微镜（SEM）：主要用于观察样品表面形貌，但通过特殊的信号处理技术也可以间接推断出层错信息。

原子力显微镜（AFM）：利用探针扫描样品表面，可以高分辨率地看到晶体表面特征，以识别表面副层错。

光学显微镜：虽然分辨率相对较低，但对于表面较大的层错缺陷，光学显微镜仍能提供一定的观察和分析。

同步辐射光源：利用高亮度和高相干性的同步辐射 X 射线进行微观结构分析，特别适合高分辨成像和检测层错。

氧化还原量热分析仪：通过检测晶体的热反应行为，能够间接获得有关层错分布的信息。