布洛赫能带检测

光致发光法：利用激光照射样品，观察发光谱中布洛赫能带的特征峰，通过分析谱图获得能带结构信息。

角分辨光电子能谱（ARPES）：通过电子光谱学技术，拍摄电子在不同动量和能量下的分布，直接测量表面电子态并揭示能带结构。

扫描隧道显微镜（STM）：通过探针扫描材料表面，获得局部的电子态密度分布，进而提取布洛赫能带的信息。

量子干涉实验：通过制备量子干涉装置，测量电子在不同路径下的干涉模式，从而间接获取能带结构的信息。

透射电子显微镜（TEM）：通过高分辨成像和电子衍射技术，观察晶体结构和能带特征，为布洛赫能带的研究提供支持。

能带计算软件

用于模拟和计算材料的电子能带结构，分析带隙、导电性和半导体特性。

光谱仪

通过透射、反射或散射光的方式测量材料的吸收光谱，从而探测能带结构的性质。

扫描隧道显微镜（STM）

通过探测表面电子状态，获取材料的局部密度状态信息，分析其能带结构和界面特性。

角分辨光电子能谱（ARPES）

利用光电效应测量材料表面的电子能量和动量分布，提供直接的能带信息。

四探针测量仪

测量材料的电阻率和载流子浓度，以获得与能带相关的电学性质。

电子显微镜（SEM/TEM）

用于观察材料的微观结构和缺陷，间接影响电子能带的特性。

拉曼光谱仪

通过观察材料的振动模式，间接推测材料的能带结构和晶格动态。