半位错检测

显微镜观察法：使用透射电子显微镜（TEM）或扫描电子显微镜（SEM）观察材料的微观结构，通过半位错引起的晶体缺陷特征进行识别。

X射线衍射法：利用X射线衍射技术分析样品中的晶体结构，通过半位错对衍射图样的影响，计算出半位错的密度和类型。

力学性能测试：通过拉伸、压缩等实验测量材料的力学性能变化，从中推断半位错的存在及对材料强度的影响。

原子力显微镜（AFM）：使用原子力显微镜探测样品表面的原子级别结构，通过成像分析半位错的分布与形态。

电子探针微分析（EPMA）：通过电子束激发样品，检测其元素成分及分布，分析半位错对化学成分的局部影响。

显微镜：用于观察材料内部的微观结构和半位错，能够提供高分辨率的图像，帮助识别晶格缺陷。

X射线衍射仪：通过分析X射线衍射图样，可以获得半位错的密度、分布和晶体取向等信息。

电子背散射衍射（EBSD）：结合扫描电子显微镜（SEM）使用，可以提供晶体局部结构的信息，特别适合分析半位错与晶体取向的关系。

原子力显微镜（AFM）：能够在纳米级别观察样品表面形貌，检测因半位错造成的表面凹陷和突起。

透射电子显微镜（TEM）：提供高分辨率的晶体缺陷分析，能直接观察到半位错的存在及其类型。