掺杂锗检测

1. X射线光电子能谱（XPS）：通过分析锗样品表面的光电子能谱图，确定锗的化学状态和掺杂元素的存在。这种方法提供高表面灵敏度，可以揭示表面和近表面层的化学性质。

2. 二次离子质谱（SIMS）：使用高能离子束轰击锗样品，导致表面原子溅射并进行质谱分析，以确定样品中各元素的浓度分布。这种方法灵敏度高，适合分析掺杂元素在材料中的深度分布。

3. 红外光谱（IR）：通过测量锗样品对红外光的吸收，识别材料中的掺杂元素和杂质。这种方法根据掺杂元素引入的振动模式变化，分析其在材料中的存在形式。

4. 电阻率测量：通过测量掺杂锗样品的电阻率，评估掺杂浓度和类型。这种方法适用于大尺寸样品的平均掺杂程度分析，是一种间接评价手段。

5. 光致发光光谱（PL）：通过向锗样品发光，观察其光致发光特性，以确定掺杂元素对材料带隙和能级的影响。此方法适用于评估掺杂后样品的光电性能变化。

6. 透射电子显微镜（TEM）：结合电子衍射技术，高分辨率观察锗样品的纳米结构及其掺杂物的分布情况。通过对比未掺杂和掺杂样品的微观结构差异，可以明确掺杂效果。

质量谱仪：用于分析掺杂锗元素在样品中的质量组成，能够检测到非常微小的掺杂元素，并提供精准的质谱图以供分析。

X射线荧光光谱仪（XRF）：通过激发样品中的锗原子并分析其荧光发射光谱，XRF可无损、快速地检测样品中的锗含量。

扫描电子显微镜（SEM）与能谱仪（EDS）联用：SEM可对样品进行高分辨成像，而EDS则能检测样品表面的锗元素分布和含量。

离子探针质谱仪：通过聚焦离子束剥除样品表层并同时进行质谱分析，可获得锗元素在样品中的深度分布和浓度信息。

电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）：用于检测溶液中的锗离子含量，其高灵敏度和低检出限使其能分析极低浓度的锗掺杂。

二次离子质谱仪（SIMS）：通过检测样品中二次离子信号，该仪器提供锗元素的深度分布分析，是半导体材料检测中的常用仪器。