半结检测

视觉检查：使用高倍显微镜观察金属表面，寻找裂纹、凹坑或不规则异常，这些可能是半结的迹象。

超声波检测：利用超声波流通过材料检查，其反射模式异常可能指示存在半结。

X射线检测：采用X射线成像技术找出金属内部结构异常，尤为适用于观察材料内部情况。

磁粉探伤：在材料表面施加磁粉，在施加磁场的情况下，粉末会聚集在裂纹周围，从而揭示半结位置。

染料渗透检测：使用染料渗透剂渗入金属表面裂缝，再利用显现剂显示出染料渗透路径，标识出半结。

电涡流检测：采用电涡流感应方式，在金属中产生电流，通过检测电流变化找出半结位置。

声发射监测：监控材料在应力作用下发出的超声波信号，信号的异常可能指示半结产生。

半导体集成电路的半结检测主要用于在制造过程中检测和分析半导体器件中的缺陷和异常。以下是一些常用的检测仪器：

电容电压特性测试仪：用于测量半导体器件PN结的电容电压特性曲线，通过分析CV特性可以判断结深、掺杂浓度和是否存在异常。

SEM（扫描电子显微镜）：利用电子束扫描样品表面生成高分辨率图像，通过观察PN结的结构来检测可能存在的结构性缺陷。

IV测试仪：通过测量半导体器件的电流-电压特性，以检测PN结的电气性能，以及识别可能的击穿点和漏电流问题。

激光散射仪：用于检测半导体材料表面的微粒和杂质，这些都可能影响PN结的可靠性和性能。

红外热成像仪：基于设备在载流子流动时产生的热效应，利用红外成像技术鉴别PN结中的热异常，检测短路或高电阻区域。

化学腐蚀实验：通过特定的化学试剂对半导体材料进行腐蚀，分析腐蚀后的形貌变化，辨别出隐藏的PN结缺陷。

X射线计算机断层扫描仪（CT）：使用X射线透视技术创建样品的三维图像，分析隐藏在表面之下的结构特性，包括PN结的位置和完整性。