漂移区检测

点击：丨发布时间：2025-02-26 17:37:03丨关键词：漂移区测试机构,漂移区测试方法,漂移区测试范围

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

离子迁移率测定：测量范围1×10^-4-1×10^-2 cm²/(V·s)，误差≤±5%

载流子浓度检测：覆盖1×10¹²-1×10¹⁹ cm^-3，霍尔效应法

击穿电压测试：DC 0-10 kV，上升速率50 V/s

热稳定性评估：温度范围-65℃至300℃，温控精度±0.5℃

界面态密度分析：频率范围1 kHz-1 MHz，电容-电压法（C-V）

检测范围

半导体材料：硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)晶圆

功率器件：IGBT模块、MOSFET、肖特基二极管

光伏材料：PERC电池、异质结(HJT)太阳能电池

绝缘材料：氧化铝陶瓷、聚酰亚胺薄膜

高温合金：镍基合金涡轮叶片涂层

检测方法

ASTM F76：半导体载流子浓度四探针法

IEC 60747-9：分立器件动态特性测试

GB/T 1551：硅单晶电阻率测定规范

ISO 18562-3：医用材料离子迁移风险评估

JESD22-A108F：电子器件温度循环测试

GB/T 4937：半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A脉冲测试

Lake Shore 8400系列霍尔效应测试系统：磁场强度0-2T，分辨率0.1μV

Thermo Scientific DXR3显微拉曼光谱仪：空间分辨率0.5μm

Agilent 4294A精密阻抗分析仪：频率范围40 Hz-110 MHz

ESPEC T-242热冲击试验箱：温度转换速率30℃/min

Oxford Instruments PlasmaPro 100 CVD：等离子体密度监测精度±2%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。