单质半导体检测

点击：丨发布时间：2025-03-10 15:51:53丨关键词：单质半导体测试案例,单质半导体测试周期,单质半导体测试仪器

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

电阻率测试：范围0.01-1000 Ω·cm，精度±2%

载流子浓度测定：10^10-10^19 cm^-3，霍尔效应法

迁移率分析：100-1500 cm²/(V·s)，温度范围77-400K

缺陷密度检测：蚀刻法测定位错密度＜500/cm²

氧碳含量测定：FTIR法检测氧含量10^15-10^18 atoms/cm³

晶向偏差：X射线衍射法精度±0.05°

检测范围

元素半导体材料：单晶硅锭/锗晶棒（直径150-450mm）

半导体晶圆：抛光片/外延片（厚度200-1000μm）

薄膜材料：多晶硅薄膜（厚度50nm-5μm）

特种半导体：硒/碲单质半导体器件

回收材料：半导体级硅废料纯度验证

检测方法

ASTM F76：霍尔效应参数标准测试规程

ISO 14707：辉光放电质谱法测定杂质元素

GB/T 1551：硅单晶电阻率直流四探针法

GB/T 14144：硅晶体中氧含量红外吸收测量

SEMI MF1724：晶片几何尺寸测量规范

JIS H 0605：硅片表面缺陷显微镜检测

检测设备

四探针电阻率测试仪：RTS-9型，量程0.001-1999Ω·cm

霍尔效应测试系统：HL5500PC，磁场强度0.55T，温控±0.1K

傅里叶红外光谱仪：Nicolet iS50，分辨率0.09cm⁻¹

X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE，角度重复性±0.0001°

GD-MS质谱仪：VG9000，检出限0.01ppb

表面轮廓仪：KLA Tencor P-17，垂直分辨率0.1nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。