低能量位错检测
点击：丨发布时间：2025-03-12 15:29:26丨关键词：低能量位错测试方法,低能量位错测试仪器,低能量位错项目报价
参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。
因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。
检测项目
位错密度：测量范围为104-1012 cm-2，误差≤±5%
位错分布特征：包括均匀性、簇状聚集度及梯度变化分析
位错运动特性：临界剪切应力（0.1-500 MPa）、滑移系激活能（0.5-3.0 eV）
位错-晶界相互作用：界面钉扎强度（10-200 nm尺度分析）
位错激活能谱：能量分辨率≤0.05 eV，温度范围-196°C至1200°C
检测范围
金属材料：铝合金（2xxx/7xxx系列）、钛合金（TC4/TA15）、镍基高温合金（Inconel 718）
半导体材料：单晶硅（111/100晶向）、碳化硅（4H/6H型）、砷化镓
陶瓷材料：氧化铝（α-Al2O3）、氮化硅（Si3N4）、锆钛酸铅（PZT）
高分子复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP）、聚醚醚酮（PEEK）基体
薄膜涂层材料：物理气相沉积（PVD）氮化钛涂层、化学气相沉积（CVD）金刚石薄膜
检测方法
X射线衍射法（XRD）：ASTM E1426、GB/T 23413-2009，θ-2θ扫描模式
扫描电子显微镜电子通道衬度成像（SEM-ECCI）：ISO 24173:2009、GB/T 17394.3-2012
透射电子显微镜弱束暗场成像（TEM-WBDF）：ISO 25498:2018、GB/T 27788-2020
电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627-13、GB/T 34896-2017，步长50-200 nm
同步辐射白光拓扑成像：ISO/TR 10993-22:2017，空间分辨率≤200 nm
检测设备
X射线衍射仪：Rigaku SmartLab，配备Cross Beam Optics系统，角度重复性±0.0001°
场发射扫描电镜：JEOL JSM-IT800，电子枪亮度≥5×108 A/m2sr，分辨率0.8 nm@15 kV
球差校正透射电镜：FEI Talos F200X，STEM分辨率0.16 nm，能量分辨率≤0.7 eV
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，峰值力轻敲模式，力分辨率<1 pN
纳米压痕仪：Agilent G200，载荷分辨率50 nN，位移分辨率0.01 nm
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
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