电子迁移率检测

点击:丨发布时间:2025-03-13 10:54:01丨关键词:电子迁移率测试方法,电子迁移率测试周期,电子迁移率项目报价

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参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。

因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

检测项目

载流子迁移率(μ):测量范围1-10⁶ cm²/(V·s),精度±3%

霍尔系数(RH):分辨率0.01 m³/C,误差≤±5%

电阻率(ρ):检测范围10⁻⁶-10¹² Ω·cm,温度范围4-500K

温度依赖性测试:温控精度±0.1K,变温速率0.1-10K/min

各向异性分析:三维载流子分布检测,角度分辨率0.5°

检测范围

半导体材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等单晶/多晶材料

薄膜材料:氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)透明导电薄膜

纳米材料:石墨烯、碳纳米管、二维过渡金属硫化物

电子器件:MOSFET、HEMT器件沟道层材料

新能源材料:钙钛矿太阳能电池、锂离子电池电极材料

检测方法

霍尔效应法:ASTM F76、GB/T 1550,磁场强度0-2T

四探针法:ISO 3915、GB/T 1551,电流范围1nA-100mA

变温电输运测试:IEC 62899-202,温度扫描速率≤5K/min

太赫兹时域光谱:ISO 18562-3,频谱范围0.1-3THz

微波阻抗分析:ASTM D5568,频率范围1MHz-3GHz

检测设备

Keithley 4200A-SCS参数分析仪:支持DC-IV/CV测量,最小电流分辨率0.1fA

Lake Shore 8400系列霍尔测量系统:集成1.5T电磁铁,温控范围10-400K

Agilent B1500A半导体分析仪:脉冲模式测量,脉宽100ns-10ms可调

Four Dimensions 4DPP-1000四探针台:XYZ轴定位精度±1μm,压力控制0-5N

TOYO Corp Quick Hall系统:全自动霍尔效应测量,样品尺寸兼容2-8英寸晶圆

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。