半导体开关检测

点击:丨发布时间:2025-03-17 10:24:11丨关键词:半导体开关测试范围,半导体开关测试方法,半导体开关测试案例

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参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。

因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

检测项目

导通电阻(RDS(on)):测量范围0.1mΩ-10Ω@VGS=10V

击穿电压(VBR):测试电压0-3000V@25℃/125℃

开关时间:上升时间tr≤50ns/下降时间tf≤30ns

阈值电压(VTH):标称值2-5V±10%

热阻(RθJC):测量精度±0.05℃/W

检测范围

硅基MOSFET/IGBT器件

碳化硅(SiC)功率模块

氮化镓(GaN)射频开关

智能功率模块(IPM)

光控半导体开关器件

检测方法

ASTM F42-20:宽禁带半导体材料电学特性测试

ISO 16750-4:2010:道路车辆电气环境试验

GB/T 4937-2018:半导体器件机械和气候试验方法

IEC 60747-9:2019:分立器件测试标准

GB/T 4586-2017:半导体器件热特性测量规范

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪:支持3000V/1500A脉冲测试

Tektronix DPO73304S示波器:30GHz带宽/100GS/s采样率

Chroma 19032功率循环测试系统:ΔTj≥100℃老化试验

ESPEC PL-3K环境试验箱:温度范围-70℃~+180℃

SUSS PM8探针台:支持8英寸晶圆级参数测试

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。