点击:丨发布时间:2025-03-17 10:24:11丨关键词:半导体开关测试范围,半导体开关测试方法,半导体开关测试案例
参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
导通电阻(RDS(on)):测量范围0.1mΩ-10Ω@VGS=10V
击穿电压(VBR):测试电压0-3000V@25℃/125℃
开关时间:上升时间tr≤50ns/下降时间tf≤30ns
阈值电压(VTH):标称值2-5V±10%
热阻(RθJC):测量精度±0.05℃/W
硅基MOSFET/IGBT器件
碳化硅(SiC)功率模块
氮化镓(GaN)射频开关
智能功率模块(IPM)
光控半导体开关器件
ASTM F42-20:宽禁带半导体材料电学特性测试
ISO 16750-4:2010:道路车辆电气环境试验
GB/T 4937-2018:半导体器件机械和气候试验方法
IEC 60747-9:2019:分立器件测试标准
GB/T 4586-2017:半导体器件热特性测量规范
Keysight B1505A功率器件分析仪:支持3000V/1500A脉冲测试
Tektronix DPO73304S示波器:30GHz带宽/100GS/s采样率
Chroma 19032功率循环测试系统:ΔTj≥100℃老化试验
ESPEC PL-3K环境试验箱:温度范围-70℃~+180℃
SUSS PM8探针台:支持8英寸晶圆级参数测试
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。