半导体开关检测

点击：丨发布时间：2025-03-17 10:24:11丨关键词：半导体开关测试范围,半导体开关测试方法,半导体开关测试案例

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参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师。

检测项目

导通电阻（R_DS(on)）：测量范围0.1mΩ-10Ω@V_GS=10V

击穿电压（V_BR）：测试电压0-3000V@25℃/125℃

开关时间：上升时间t_r≤50ns/下降时间t_f≤30ns

阈值电压（V_TH）：标称值2-5V±10%

热阻（R_θJC）：测量精度±0.05℃/W

检测范围

硅基MOSFET/IGBT器件

碳化硅（SiC）功率模块

氮化镓（GaN）射频开关

智能功率模块（IPM）

光控半导体开关器件

检测方法

ASTM F42-20：宽禁带半导体材料电学特性测试

ISO 16750-4:2010：道路车辆电气环境试验

GB/T 4937-2018：半导体器件机械和气候试验方法

IEC 60747-9:2019：分立器件测试标准

GB/T 4586-2017：半导体器件热特性测量规范

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A脉冲测试

Tektronix DPO73304S示波器：30GHz带宽/100GS/s采样率

Chroma 19032功率循环测试系统：ΔT_j≥100℃老化试验

ESPEC PL-3K环境试验箱：温度范围-70℃~+180℃

SUSS PM8探针台：支持8英寸晶圆级参数测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。