点击:丨发布时间:2025-03-17 11:44:34丨关键词:单极晶体管测试周期,单极晶体管测试机构,单极晶体管测试范围
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参考周期:常规试验7-15工作日,加急试验5个工作日。
因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。
阈值电压(VTH):范围-5V至+20V,精度±0.1mV
漏源击穿电压(BVDSS):测试范围0-1000V,漏电流≤1μA
跨导(gm):测量频率1kHz-1MHz,误差≤±2%
导通电阻(RDS(on)):量程0.1mΩ-10kΩ,温度补偿25℃±0.5℃
开关时间(tr/tf):上升/下降时间分辨率10ns
热阻(RθJC):温控精度±0.1℃,功率加载范围0-500W
硅基MOSFET:耐压等级≤1200V的平面/沟槽栅器件
GaN HEMT:高频功率器件(工作频率≥100MHz)
SiC JFET:高温应用器件(结温≥200℃)
TFT阵列:显示驱动用薄膜晶体管(迁移率≥10cm²/V·s)
IGBT单极模式:混合器件中的单极工作特性分析
静态参数测试:ASTM F76-08(2016)、GB/T 4587-1994
动态特性分析:IEC 60747-8-2010、SJ/T 11498-2015
热特性评估:MIL-STD-750F Method 3101、GB/T 17573-2021
可靠性试验:JESD22-A108F(高温反偏)、ISO 16750-4:2010(振动)
失效分析:SEMI MF978-0307(显微结构)、GB/T 4937-2018(环境应力)
Keysight B1500A半导体参数分析仪:支持DC-IV/CV曲线扫描及脉冲测试模式
Tektronix AFG31000系列任意波形发生器:输出带宽120MHz,上升时间≤3.5ns
Cascade Summit 12000探针台:支持12英寸晶圆级测试,定位精度±1μm
Agilent 4156C精密参数分析仪:最小电流分辨率0.1fA,电压扫描步进0.1mV
SUSS MicroTec PA300热流仪:温度范围-65℃至+400℃,控温稳定性±0.03℃/min
TAS Micro MT200瞬态热测试系统:响应时间≤10μs,功率循环次数≥106
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。