高层错晶体检测
检测项目
层错密度测定：测量单位体积内层错缺陷数量（范围：10²-10⁶ mm⁻²）
晶体取向差分析：检测相邻晶粒间取向偏差角度（精度：±0.1°，范围：0.1°-5°）
晶界分布统计：统计小角度晶界（2°-15°）与大角度晶界（＞15°）比例
位错网络形态表征：分析位错线密度（单位：m/m³）及滑移系激活状态
孪晶界面能计算：测定孪晶界能量密度（单位：mJ/m²，误差≤5%）
检测范围
金属合金：镍基高温合金、钛铝合金、奥氏体不锈钢
半导体材料：单晶硅、GaN外延层、碳化硅晶圆
陶瓷材料：氧化锆结构陶瓷、氮化铝基板
高分子复合材料：液晶聚合物薄膜、纤维增强热塑性基体
纳米材料：金属纳米线、二维过渡金属硫化物（如MoS₂）
检测方法
电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627、GB/T 28872-2012
透射电子显微术（TEM）：ISO 25498:2018、GB/T 17507-2018
X射线衍射（XRD）：ASTM E915-19、GB/T 8362-2019
同步辐射拓扑成像：ISO/TS 21383:2021
三维X射线显微镜：GB/T 39487-2020
检测设备
扫描电子显微镜：JEOL JSM-7900F（配备Oxford Symmetry EBSD探测器，空间分辨率1.2nm）
透射电子显微镜：Thermo Fisher Talos F200X（STEM模式点分辨率0.16nm）
高分辨X射线衍射仪：Rigaku SmartLab（Cu靶Kα射线，角度重复性±0.0001°）
三维X射线显微镜：Bruker SkyScan 1273（体素分辨率0.4μm，最大样品尺寸100mm）
聚焦离子束系统：TESCAN S9000X（离子束加速电压30kV，定位精度±10nm）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
📝 报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
⏳ 检测周期：7~15工作日，可加急。
🏅 资质：旗下实验室可出具检测/CNAS资质报告。
📏 标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
🔬 非标测试：支持定制化试验方案。
📞 售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
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